Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln STGWT80H65DFB

STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Artikelnummer
STGWT80H65DFB
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:3.75000/pcsUnit Price:
3.75000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTGWT80H65DFB
TeilstatusActive
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Leistung max469W
Energie wechseln2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C84ns/280ns
Testbedingung400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P
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