STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Osa numero: STGWT80H65DFB
Valmistaja: STMicroelectronics
Kuvaus: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - IGBT - Single

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
3.75000/pcs
10 pcs
3.38650/pcs
100 pcs
2.80350/pcs
500 pcs
2.44125/pcs
1,000 pcs
2.12625/pcs

Kaikki yhteensä:3.75000/pcs

Unit Price:

3.75000/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	STGWT80H65DFB
Osan tila	Active
IGBT-tyyppi	Trench Field Stop
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	650V
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	120A
Nykyinen - Collector Pulsed (Icm)	240A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Teho - Max	469W
Energian vaihto	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Gate Charge	414nC
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	84ns/280ns
Testausolosuhteet	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Käänteinen palautusaika (trr)	85ns
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti	TO-3P