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| Numéro d'article | APT75GP120B2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Puissance - Max | 1042W |
| Échange d'énergie | 1620µJ (on), 2500µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 320nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/163ns |
| Condition de test | 600V, 75A, 5 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 1700V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 1200V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 600V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247
En stock: 2948
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
En stock: 20
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 124A 379W SOT227
En stock: 0
