Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT75GP120B2G

Microsemi Corporation APT75GP120B2G

Artikelnummer
APT75GP120B2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 10 pcs

    12.68050/pcs

  • 25 pcs

    11.65240/pcs

  • 100 pcs

    10.82995/pcs

  • 250 pcs

    9.93888/pcs
Gesamt:13.71000/pcsUnit Price:
13.71000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT75GP120B2G
TeilstatusActive
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)300A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 75A
Leistung max1042W
Energie wechseln1620µJ (on), 2500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung320nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C20ns/163ns
Testbedingung600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-
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