| Numéro d'article | APT75F50B2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | T-MAX™ [B2] |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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