Infineon Technologies IPP80R1K4P7XKSA1

Numéro d'article: IPP80R1K4P7XKSA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
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10 pcs
0.66700/pcs
100 pcs
0.52730/pcs
500 pcs
0.40891/pcs
1,000 pcs
0.32282/pcs

Total:0.87500/pcs

Unit Price:

0.87500/pcs

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Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IPP80R1K4P7XKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 500V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO-220-3
Paquet / cas	TO-220-3