Infineon Technologies IPP80R1K4P7XKSA1

Osa numero: IPP80R1K4P7XKSA1
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.87500/pcs
10 pcs
0.66700/pcs
100 pcs
0.52730/pcs
500 pcs
0.40891/pcs
1,000 pcs
0.32282/pcs

Kaikki yhteensä:0.87500/pcs

Unit Price:

0.87500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPP80R1K4P7XKSA1
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 500V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	Super Junction
Tehonsyöttö (maksimi)	32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	PG-TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3