Infineon Technologies IPP80R1K4P7XKSA1

Número da peça: IPP80R1K4P7XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
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10 pcs
0.66700/pcs
100 pcs
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0.40891/pcs
1,000 pcs
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Total:0.87500/pcs

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Parâmetro do produto

Número da peça	IPP80R1K4P7XKSA1
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 500V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO-220-3
Pacote / Caso	TO-220-3