Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA

Numéro d'article
ZXMHC10A07T8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'article ZXMHC10A07T8TA
État de la pièce Active
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A, 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-223-8
Package de périphérique fournisseur SM8
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