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| Numero di parte | ZXMHC10A07T8TA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A, 800mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 60V |
| Potenza - Max | 1.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-223-8 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SM8 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Disponibile: 9000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Disponibile: 13000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Disponibile: 10000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Disponibile: 52500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Disponibile: 7000
