Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMHC6A07N8TC

Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8TC

Numéro d'article
ZXMHC6A07N8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'articleZXMHC6A07N8TC
État de la pièceActive
FET Type2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET CaractéristiqueLogic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C1.39A, 1.28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
Puissance - Max870mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOP
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