Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMC6A09DN8TA

Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8TA

Numéro d'article
ZXMC6A09DN8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'articleZXMC6A09DN8TA
État de la pièceActive
FET TypeN and P-Channel
FET CaractéristiqueLogic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C3.9A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V
Puissance - Max1.8W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOP
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ZXMC6A09DN8TA

Fabricant: Diodes Incorporated

La description: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

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