Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA

Numéro d'article
ZXMC3AMCTA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'articleZXMC3AMCTA
État de la pièceActive
FET TypeN and P-Channel
FET CaractéristiqueLogic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
Puissance - Max1.7W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur8-DFN (3x2)
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