Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA

Numéro d'article
ZXMC3AM832TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'article ZXMC3AM832TA
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
Puissance - Max 1.7W
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-MLP (3x2)
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