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| Artikelnummer | ZXMC3AMCTA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
| Leistung max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (3x2) |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Auf Lager: 2500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Auf Lager: 1500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Auf Lager: 500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Auf Lager: 20000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Auf Lager: 0
