epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Osa numero | EPC2102ENG |
|---|---|
| Osan tila | Discontinued at Digi-Key |
| FET-tyyppi | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-ominaisuus | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 60V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 23A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Teho - Max | - |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Pakkaus / kotelo | Die |
| Toimittajan laitepaketti | Die |
