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| Numero de parte | STP33N65M2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 12A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 30A TO220
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
En stock: 4220
