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| Artikelnummer | STP33N65M2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 190W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A TO220
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Auf Lager: 4220
