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| Numero de parte | APTC80DDA29T3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Potencia - Max | 156W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
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