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| Numéro d'article | APTC80DDA29T3G |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Puissance - Max | 156W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP3 |
| Package de périphérique fournisseur | SP3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
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