provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | APT47N65SCS3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 87A 283W SOT-227
En stock: 10
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
En stock: 60
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
En stock: 62
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
En stock: 20
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
En stock: 0
