provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT47N65SCS3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 417W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Auf Lager: 10
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Auf Lager: 60
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
Auf Lager: 62
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Auf Lager: 20
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Auf Lager: 0
