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| Numero de parte | IS41C16100C-50TLI |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | DRAM - EDO |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | 25ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 54-TSOP II |
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
En stock: 0
Fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción: IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
En stock: 0
