| Artikelnummer | IS41C16100C-50TLI |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | DRAM - EDO |
| Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 54-TSOP II |
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC DRAM 16MBIT 50NS 54TSOP
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC DRAM 16MBIT 50NS 42SOJ
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
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