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| Numero de parte | IRFS4410ZPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 97A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 58A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
En stock: 340
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
En stock: 0
