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| Artikelnummer | IRFS4410ZPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 97A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 230W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 58A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 340
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
