Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple DMN2005LP4K-7

Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7

Numero de parte
DMN2005LP4K-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parteDMN2005LP4K-7
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C200mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds41pF @ 3V
Vgs (Max)±10V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Temperatura de funcionamiento-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorX2-DFN1006-3
Paquete / caja3-XFDFN
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