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| Artikelnummer | DMN2005LP4K-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X2-DFN1006-3 |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Auf Lager: 168600
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Auf Lager: 24000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Auf Lager: 225000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Auf Lager: 156000
