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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: SCR 100A 100V POWERMITE
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
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Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264
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Beschreibung: IGBT 900V 101A 543W TMAX
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Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247
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Beschreibung: IGBT 1200V 106A 694W TO264
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Beschreibung: IGBT 1200V 94A 625W TO247
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Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO264
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Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264
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Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264
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Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Beschreibung: IGBT 600V 100A 543W D3PAK
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Beschreibung: IGBT 600V 100A 543W TO247
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Beschreibung: IGBT 1200V 69A 417W TO247
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Beschreibung: IGBT 600V 93A 415W TO247
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Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO264
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Beschreibung: IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3
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Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
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Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
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