Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT85GR120B2

Microsemi Corporation APT85GR120B2

Artikelnummer
APT85GR120B2
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 170A 962W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 10 pcs

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  • 25 pcs

    7.28140/pcs

  • 100 pcs

    6.69105/pcs

  • 250 pcs

    6.10068/pcs
Gesamt:8.66000/pcsUnit Price:
8.66000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPT85GR120B2
TeilstatusActive
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)170A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)340A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 85A
Leistung max962W
Energie wechseln6mJ (on), 3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung660nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C43ns/300ns
Testbedingung600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketT-MAX™
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