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| Artikelnummer | APT80GP60J |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 151A |
| Leistung max | 462W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 80A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.84nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
Auf Lager: 0
