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| Artikelnummer | CSD88537ND |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Leistung max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 3500
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Auf Lager: 1
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Auf Lager: 7500
