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| Artikelnummer | CSD87334Q3DT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 12A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
| Leistung max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Auf Lager: 3500
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Auf Lager: 1
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Auf Lager: 7500
