Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP18N60DM2

STMicroelectronics STP18N60DM2

Artikelnummer
STP18N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    0.65873/pcs
Gesamt:1.34000/pcsUnit Price:
1.34000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP18N60DM2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)90W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs295 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
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