Artikelnummer | STP100N10F7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
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