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| Artikelnummer | STP100N6F7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
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Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
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