Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP13N65M2

STMicroelectronics STP13N65M2

Artikelnummer
STP13N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    0.55440/pcs
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Gesamt:0.93500/pcsUnit Price:
0.93500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP13N65M2
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs430 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
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