Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STI360N4F6

STMicroelectronics STI360N4F6

Artikelnummer
STI360N4F6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 1,000 pcs

    1.43605/pcs
Gesamt:2.72000/pcsUnit Price:
2.72000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTI360N4F6
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs340nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds17930pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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