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| Artikelnummer | STI30NM60N |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 190W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
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