Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STI32N65M5

STMicroelectronics STI32N65M5

Artikelnummer
STI32N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 10 pcs

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  • 100 pcs

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    2.34438/pcs

  • 1,000 pcs

    2.04188/pcs
Gesamt:3.60000/pcsUnit Price:
3.60000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTI32N65M5
TeilstatusObsolete
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3320pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs119 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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