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| Artikelnummer | STD10PF06-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
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