Artikelnummer | STD100NH03LT4 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D-Pak |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
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Hersteller: SMC Diode Solutions
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
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