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| Artikelnummer | STB5NK52ZD-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 520V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 70W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
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