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| Artikelnummer | BSP52T3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Leistung max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223
Auf Lager: 2000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
Auf Lager: 1000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Auf Lager: 0
