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| Artikelnummer | APTC80A10SCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 42A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Leistung max | 416W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
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