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| Numero di parte | APTC80A10SCTG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Potenza - Max | 416W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Disponibile: 0
