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| Artikelnummer | APTC80DA15T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 28A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4507pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 277W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Paket / Fall | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
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