Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln APT53N60BC6

Microsemi Corporation APT53N60BC6

Artikelnummer
APT53N60BC6
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)

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    5.29000/pcs

  • 10 pcs

    4.98600/pcs

  • 100 pcs

    4.09950/pcs

  • 500 pcs

    3.43472/pcs
Gesamt:5.29000/pcs Unit Price:
5.29000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT53N60BC6
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 154nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 417W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 25.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Fall TO-247-3
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