Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln APT25SM120S

Microsemi Corporation APT25SM120S

Artikelnummer
APT25SM120S
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MOSFET - SIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT25SM120S
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 175W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket D3
Paket / Fall D-3 Module
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