Artikelnummer | APT25SM120S |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 175W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 10A, 20V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | D3 |
Paket / Fall | D-3 Module |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247
Auf Lager: 60
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 287
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED GREEN CLEAR 0805 SMD
Auf Lager: 260000
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805
Auf Lager: 6000
Hersteller: Kingbright
Beschreibung: LED RED CLEAR 0805 SMD
Auf Lager: 6000