Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT25GN120SG

Microsemi Corporation APT25GN120SG

Artikelnummer
APT25GN120SG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • Referenzpreis

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    4.72500/pcs
  • 10 pcs

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  • 25 pcs

    3.87520/pcs
  • 100 pcs

    3.49710/pcs
  • 250 pcs

    3.21354/pcs
  • 500 pcs

    2.92999/pcs
Gesamt:4.72500/pcs Unit Price:
4.72500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT25GN120SG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 67A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 75A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Leistung max 272W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/280ns
Testbedingung 800V, 25A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket D3Pak
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